薄膜MIM电容器及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够充分获得防止绝缘特性和漏电流特性劣化的效果的薄膜MIM电容器，并且提供制造该薄膜MIM电容器的方法。薄膜MIM电容器(1)在基板(2)上依次层叠有下部电极(3)、贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)形成为大致相同的面积，下部电极(3)为了形成与外部连接的部分，其形状与其他的薄膜不同。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)的侧面由含有与贱金属薄膜(4)相同的金属原子的贱金属氧化物(7)覆盖。

主权项

一种薄膜MIM电容器，其具有基板、形成在该基板上的下部电极、形成在该下部电极上的电介质层薄膜和形成在该电介质薄膜上的作为上部电极的金属膜，该薄膜MIM电容器的特征在于：在所述下部电极与所述电介质薄膜之间形成有贱金属薄膜或绝缘性的贱金属氧化物薄膜，所述电介质薄膜和所述上部电极的侧面由含有与构成所述贱金属薄膜或所述贱金属氧化物薄膜的金属相同的金属原子的绝缘性的贱金属氧化物覆盖，所述下部电极、所述贱金属薄膜或所述绝缘性的贱金属氧化物薄膜、所述电介质薄膜、所述上部电极和所述贱金属氧化物由绝缘性氢隔离层覆盖。