发明名称 |
空间微电子产业用纳米二硫化钼-铜基电接触薄膜及制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=(94~97):(6~3),薄膜厚度为10~70微米,薄膜孔隙率小于1%;电导率真空热处理后最高可达62IACS%;在滑动速度为≤0.2米/秒、载荷为1牛顿时,薄膜摩擦系数≤0.1。所述制备方法是:该薄膜以纳米二硫化钼颗粒为固体润滑剂,通过电刷镀技术将纳米二硫化钼颗粒均匀分散在铜基质中,铜基质通过电化学原理沉积出来并将纳米二硫化钼颗粒紧密包裹。本发明显著改善了真空环境铜的摩擦磨损性能,是一种可以从一定程度上代替金-二硫化钼(Au-MoS2)薄膜作为空间微电子产业用的电接触薄膜材料。 |
申请公布号 |
CN103695989A |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201310725956.3 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
燕山大学 |
发明人 |
梁波;温银堂;周新芳;王文魁 |
分类号 |
C25D15/00(2006.01)I;C25D5/06(2006.01)I;H01H1/025(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C25D15/00(2006.01)I |
代理机构 |
秦皇岛市维信专利事务所 13102 |
代理人 |
鄂长林 |
主权项 |
一种空间微电子产业用的纳米二硫化钼‑铜基电接触薄膜,其特征是:所述纳米二硫化钼‑铜基电接触薄膜由电刷镀方法制备,其中,MoS2颗粒为40~80纳米;所述薄膜厚度为10~70微米,薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=(94~97):(6~3),薄膜孔隙率小于1%;未经真空热处理的导电率为(49~53)%IACS,真空热处理后,薄膜导电率为(59~65)%IACS;在滑动速度为≤ 0.2米/秒、载荷为1牛顿时,薄膜摩擦系数≤ 0.1。 |
地址 |
066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 |