一种石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明揭示了一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：提供石墨烯生长衬底，将衬底置于加热形成的高温区域；在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选磁场，衬底作为加速电场的正极；加热衬底、筛选磁场区域和加速电场区域；通入含碳气体作为碳源，在通入筛选磁场区域之前将含碳气体电离成等离子体；等离子体以射流的形式进入筛选磁场区域，射流中带电离子根据带电荷量的不同在筛选磁场的作用下有不同运动半径；碳离子被筛选出来后进入到加速电场中，在加速电场的作用下加速到一定速度后撞击衬底表面，实现石墨烯的生长。本发明可大幅提高石墨烯的生产效率，通过连续生长得到高品质、大尺寸的单晶石墨烯。

主权项

一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供石墨烯生长衬底，将所述衬底置于加热机构加热形成的高温区域；在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选磁场，衬底作为加速电场的正极；加热衬底、筛选磁场区域和加速电场区域；通入含碳气体作为碳源，在通入筛选磁场区域之前将含碳气体电离成等离子体；等离子体以射流的形式进入筛选磁场区域，射流中带电离子根据带电荷量的不同在筛选磁场的作用下有不同运动半径；碳离子被筛选出来后进入到加速电场中，在加速电场的作用下加速到一定速度后撞击衬底表面，从而实现石墨烯的生长。