基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法，其包括以下步骤：在已完成通孔、绝缘层制备、通孔已填充金属的圆片背面制作具有开口的介质层，所述开口对应每一个有填充金属的位置；在开口中电镀或化镀填充金属形成柱体；去除所述具有开口的介质层材料，露出金属柱体；再在背面金属柱体周边的间隙中填充聚合物并固化；通过化学机械抛光露出填充金属；最后在金属柱体位置制作背面焊盘。其优点是：这样的制作方法可以大幅提升硅基板的结构强度，提高生产效率，提升产品成品率和良率。该方法同样也可以用于制作砷化镓、氮化镓衬底的基板。

主权项

基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法，其特征在于,包括以下步骤：在已完成通孔、绝缘层制备，且通孔已填充金属的圆片背面制作具有开口的介质层，所述开口对应每一个有填充金属的位置；在开口中电镀或化镀填充金属形成柱体；去除所述具有开口的介质层材料，露出金属柱体；再在背面金属柱体周边的间隙中填充聚合物并固化；通过化学机械抛光露出填充金属；最后在金属柱体位置制作背面焊盘。