| 发明名称 | 一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法，包括：在衬底表面涂敷电子束光刻胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影，形成刻蚀窗口；从形成的刻蚀窗口对衬底进行刻蚀，形成T型栅的细栅图形；蒸发金属薄层，然后二次涂敷电子束光刻胶；对二次涂敷的电子束光刻胶进行电子束曝光和显影，去除金属薄层，形成T型栅图形；以及在二次涂敷的电子束光刻胶及T型栅图形上蒸发淀积栅金属，剥离二次涂敷的电子束光刻胶及其上的栅金属，形成T型栅。利用本发明，有效地抑制了电流崩塌、减少了栅源、栅漏寄生电容，降低了器件栅电阻，提高了器件截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)，使得器件能工作于毫米波频段。 | ||
| 申请公布号 | CN103700583A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201410005454.8 | 申请日期 | 2014.01.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘果果;魏珂;孔欣;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面涂敷电子束光刻胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影，形成刻蚀窗口；从形成的刻蚀窗口对衬底进行刻蚀，形成T型栅的细栅图形；蒸发金属薄层，然后二次涂敷电子束光刻胶；对二次涂敷的电子束光刻胶进行电子束曝光和显影，去除金属薄层，形成T型栅图形；以及在二次涂敷的电子束光刻胶及T型栅图形上蒸发淀积栅金属，剥离二次涂敷的电子束光刻胶及其上的栅金属，形成T型栅。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||