| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第一氧化铪层；以及在所述第一氧化铪层上的、包含氧化硅和氮氧化硅中的至少一个的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的第二氧化铪层；在所述第二氧化铪层上的、包含Ta的第一层；以及在所述第一层上的、包含W的第二层。 | ||
| 申请公布号 | CN103700661A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310710907.2 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 安田直树 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第一氧化铪层；以及在所述第一氧化铪层上的、包含氧化硅和氮氧化硅中的至少一个的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的第二氧化铪层；在所述第二氧化铪层上的、包含Ta的第一层；以及在所述第一层上的、包含W的第二层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||