| 发明名称 | 用于制造诸如超势垒SBR整流器之类的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，其中在半导体材料本体(30)上形成半导体层(32)；在半导体层上形成第一掩膜(34；34，33a)；使用第一掩膜，在体中注入第一导电区域(37)；至少在与本体的表面平行的平面的凸起中，在第一掩膜的侧向上并且与第一掩膜互补地形成第二掩膜(38；61)；使用第二掩膜，在体(30)中与第一导电区域(37)相邻且互补的位置处注入第二导电区域(40)；在第二掩膜区域(38；61)侧上形成间隔体，以形成与第二掩膜对准的第三掩膜(47；67)；以及使用第三掩膜，去除半导体层(32)的部分，以获得栅极区域(32a)。 | ||
| 申请公布号 | CN103700587A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310463667.0 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | F·利齐奥 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：提供具有表面的半导体材料本体(30)；在所述本体的顶部上形成半导体层(32)；在所述半导体层的顶部上形成第一掩膜(34；34，33a)；使用所述第一掩膜，向所述本体中引入第一掺杂剂种类，以在所述本体中形成第一导电区域(37)；至少在与所述本体的表面平行的平面中的凸起中，在所述第一掩膜的侧向上并且与所述第一掩膜互补地形成第二掩膜(38；61)；使用所述第二掩膜，向所述本体(30)中引入第二掺杂剂种类，以在所述本体中与所述第一导电区域(37)相邻且互补的位置处形成第二导电区域(40)；在所述第二掩膜区域(38；61)的侧部上形成间隔体，以形成与所述第二掩膜对准的第三掩膜(47；67)；以及通过使用所述第三掩膜，去除所述半导体层(32)的部分，以获得栅极区域(32a)。 | ||
| 地址 | 意大利阿格拉布里安扎 | ||