| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有合适功函材料的栅极电极。所述方法包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电层上形成层的叠层(140，150，160)。形成层的叠层包括：在介电层(130)上沉积具有第一厚度(例如，小于10nm)的第一金属层(140)；在第一金属层(140)上沉积具有第二厚度的第二金属层(150)，第二厚度大于第一厚度；将掺杂剂(152，154)引入第二金属层(150)中；将器件暴露于升高的温度，以使至少一些掺杂剂(152，154)从第二金属层(150)迁移超过第一金属层(140)与第二金属层(150)之间的界面；以及将叠层图案化成多个栅极电极(170)。这样，形成的栅极电极在介电层(130)附近具有掺杂剂分布，使得栅极电极的功函最优化，而栅极电介质不会由于掺杂剂渗透而劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN101981688B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN200980111511.8 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | IMEC公司;鲁汶天主教大学研究开发部 | 发明人 | 芮古纳斯塞恩·辛葛拉马拉;雅各布·C·虎克;马库斯·J·H·范达纶 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电层上形成层(140，150，160)的叠层，包括：在介电层(130)上沉积具有第一厚度的第一金属层(140)；在第一金属层(140)上沉积具有第二厚度的第二金属层(150)，第二厚度大于第一厚度；将掺杂剂(152，154)引入第二金属层(150)中；将器件暴露于升高的温度，以使至少一些掺杂剂(152，154)从第二金属层(150)迁移超过第一金属层(140)与第二金属层(150)之间的界面；以及将叠层图案化成多个栅极电极(170)；其中与第二金属层(150)相比，第一金属层(140)具有更高的掺杂剂(152，154)溶解度。 | ||
| 地址 | 比利时勒芬 | ||