| 发明名称 | 提高背面注入杂质激活率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高背面注入杂质激活率的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将芯片放入常规快速热处理设备中，通氮气排除快速热处理设备中的空气，氮气流量为50±10L/min，稳定3～5分钟；（2）升温至700～1100℃，升温的同时降低氮气流量为5±1L/min，在700～1100℃保持30～60秒；（3）加热完毕后，将芯片取出在60秒内恢复至常温。本发明具有以下优点：本发明采用业界常用的快速热处理设备就可以完成，工艺简单；激活率得到大大提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103700586A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310696715.0 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 发明人 | 潘建华;张继;李俊;陶军 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人 | 曹祖良;刘海 |
| 主权项 | 一种提高背面注入杂质激活率的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将芯片放入常规快速热处理设备中，通氮气排除快速热处理设备中的空气，氮气流量为50±10 L/min，稳定3～5分钟；（2）升温至700～1100℃，升温的同时降低氮气流量为5±1 L/min，在700～1100℃保持30～60秒；（3）加热完毕后，将芯片取出在60秒内恢复至常温。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 | ||