| 发明名称 | CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置，该CMOS晶体管包括：位于衬底基板上方的第一区域和第二区域，所述第一区域包括：第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极；所述第二区域包括：第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极；其中，所述第一有源层中形成有第一掺杂离子，所述第二有源层中形成有第二掺杂离子，所述第一掺杂离子的浓度小于所述第二掺杂离子的浓度。本发明的技术方案可以降低显示面板的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103700632A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310732715.1 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 姜春生 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种CMOS晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板上方的第一区域和第二区域，所述第一区域包括：第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极；所述第二区域包括：第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极；其中，所述第一有源层中形成有第一掺杂离子，所述第二有源层中形成有第二掺杂离子，所述第一掺杂离子的浓度小于所述第二掺杂离子的浓度。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||