发明名称 | 形成含石墨烯的开关的方法 | ||
摘要 | 本发明的一些实施例包括形成含石墨烯的开关的方法。可在基座上方形成底部电极,且可形成第一导电结构以从所述底部电极向上延伸。可沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,同时使所述底部电极的一部分保持暴露。可形成石墨烯结构以与所述底部电极的暴露部分电耦合。可在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构。可在所述石墨烯结构上方形成顶部电极,且所述顶部电极与所述第二导电结构电耦合。所述第一和第二导电结构可经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。 | ||
申请公布号 | CN103703563A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
申请号 | CN201280036869.0 | 申请日期 | 2012.06.27 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 古尔特杰·S·桑胡 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孙宝成 |
主权项 | 一种形成开关的方法,其包括:在基座上方形成底部电极;直接在所述底部电极上方形成第一导电结构;沿所述第一导电结构的侧壁形成介电材料,所述第一导电结构和所述介电材料一起覆盖所述底部电极的第一部分且使所述底部电极的第二部分保持暴露;形成石墨烯结构,其与所述底部电极的暴露部分电耦合、沿着所述介电材料且通过所述介电材料与所述第一导电结构横向隔开;在所述石墨烯结构与所述第一导电结构相对的一侧上形成第二导电结构,所述第二导电结构直接位于所述底部电极上方;在所述石墨烯结构上方形成顶部电极;所述底部电极与所述第一和第二导电结构中的一者电耦合,所述顶部电极与所述第一和第二导电结构中的另一者电耦合;且其中所述第一和所述第二导电结构经配置以跨所述石墨烯结构提供电场。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |