发明名称 一种可回收重复制备的微瓦斯传感器
摘要 一种可回收重复制备的微瓦斯传感器,该微瓦斯传感器的硅加热器中间有散热-支撑硅块;硅悬臂的一端与硅微加热器一侧相连,硅悬臂的另一端与硅支座上的固定端连接;固定端设在硅支座的埋层氧化硅上,固定端的硅层内设有掺杂硅层,金属层通过氧化硅层的窗口与固定端的掺杂硅层相接触构成欧姆接触;硅加热器完全嵌入在催化剂载体中,催化剂载体贯穿于硅加热器的中间,催化剂载体自身形成一个整体结构;采用MEMS加工的用于煤矿井下检测瓦斯浓度的低功耗瓦斯传感器,制备工艺与CMOS工艺兼容,可批量生产;该瓦斯传感器可以回收后重复制备催化剂载体及催化剂,硅微传感器使用寿命长、性能稳定、体积小、成本低。
申请公布号 CN203519541U 申请公布日期 2014.04.02
申请号 CN201320600029.4 申请日期 2013.09.26
申请人 中国矿业大学 发明人 马洪宇;王文娟;丁恩杰;赵小虎;程婷婷
分类号 G01N27/16(2006.01)I 主分类号 G01N27/16(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种可回收重复制备的微瓦斯传感器,其特征是:该微瓦斯传感器包括硅支座(101)、固定端(102)、对称设置的硅悬臂(103)、硅加热器(104)及催化剂载体(106);所述硅加热器(104)较佳为圆环形,圆环形硅加热器(104)的中间较佳设有两个对称内伸的散热‑支撑硅块(105);所述硅支座(101)包括硅衬底(11)与设在硅衬底(11)上的埋层氧化硅(12);所述硅悬臂(103)、硅加热器(104)均包括支撑硅层(21)、设在支撑硅层(21)外的氧化硅层(23);所述硅悬臂(103)的一端与硅加热器(104)一侧相连,另一端与硅支座(101)上的固定端(102)连接;所述固定端(102)设在硅支座(101)的埋层氧化硅(12)上,固定端(102)包括支撑硅层(21)、设在支撑硅层(21)外的氧化硅层(23)、设在氧化硅层(23)上的作为电引出焊盘Pad的金属层(22),固定端(102)的支撑硅层(21)内设有掺杂硅层(24),所述电引出焊盘Pad的金属层(22)通过氧化硅层(23)的窗口与固定端的掺杂硅层(24)相接触以形成欧姆接触;所述硅加热器(104)完全嵌入在催化剂载体(106)中,催化剂载体(106)贯穿于硅加热器(104)的中间,为一个完整的整体结构。
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