| 发明名称 | 半导体器件和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了半导体器件和半导体装置。所述半导体器件包括：包括p区和n区的补偿区；在所述补偿区的一侧的晶体管单元；在所述晶体管单元上的第一电极；在所述补偿区的另一侧的第二电极，其中，所述第二电极包括多个金属化层；以及互连层，沉积于所述第二电极的金属化层，其中，所述互连层具有小于20μm的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN203521403U | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201320118300.0 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | K.霍赛尼;A.毛德 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：包括p区和n区的补偿区；在所述补偿区的一侧的晶体管单元；在所述晶体管单元上的第一电极；在所述补偿区的另一侧的第二电极，其中，所述第二电极包括多个金属化层；以及互连层，沉积在所述第二电极的金属化层，其中，所述互连层具有小于20 μm的厚度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||