用于使用离子轰击修改基片表面的方法

摘要

本发明涉及一种用于通过离子轰击来修改基片表面（6）的方法，其中通过磁场辅助的辉光放电在工艺气体（10）中产生离子（7），所述辉光放电通过具有电极（1）和用于产生磁场（4）的至少一个磁体（3）的磁控管（8、9）来产生。所述工艺气体（10）具有至少一个电负性组分，使得在磁场辅助的所述辉光放电期间产生负离子（7），其中通过被施加到电极（1）的电压，在电极（1）的表面上所产生的所述负离子（7）在基片（6）的方向上被加速。击中基片（6）的负离子（7）造成基片表面（6）的修改，并且产生延伸进所述基片（6）中至少50nm深的表面结构（15）。

主权项

一种用于通过离子轰击来修改基片（6）的表面的方法，其中‑通过磁场辅助的辉光放电在工艺气体（10）中产生离子（7）；‑通过具有电极（1）和用于产生磁场（4）的至少一个磁体（3）的磁控管（8、9）产生磁场辅助的辉光放电；‑工艺气体（10）具有至少一个电负性组分，使得在磁场辅助的辉光放电中产生负离子（7）；‑通过被施加到电极（1）的电压，在电极（1）的表面处所产生的负离子（7）在基片（6）的方向上被加速；‑击中基片（6）的负离子（7）造成基片（6）的表面的修改；和‑通过离子轰击，在基片（6）的表面处产生表面结构（15），所述表面结构（15）延伸进基片（6）中至少50nm深。