主权项 |
一种磁场传感器(30;110;120;120’;150;170),其特征在于,包括: 芯片(100),包括具有第一表面(51a)和第二表面(51b)的衬底(51)以及覆盖所述第一表面(51a)的绝缘层(78); 第一磁阻器(33;114c;124c),在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA); 第二磁阻器(35;114a;124a),在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA),所述第二磁阻器(35;114a;124a)的所述主磁化轴线(EA)在横切于所述第一磁阻器(33;114c;124c)的所述主磁化轴线(EA)的方向上延伸,并且所述第二磁阻器(35;114a;124a)的所述副磁化轴线(HA)在横切于所述第一磁阻器(33;114c;124c)的所述副磁化轴线(HA)的方向上延伸; 第一磁场发生器(32;112c;122c),被配置为用于产生具有沿着所述第一磁阻器(33;114c;124c)的所述主磁化轴线的场线的第一磁场;以及 第二磁场发生器(31;112a;122a),被配置为用于产生具有沿着所述第二磁阻器(35;114a;124a)的所述主磁化轴线的场线的第二磁场, 所述第一磁阻器和所述第二磁阻器(33,35;114c,114a;124c,124a)以距所述第一表面(51a)彼此不同的相应的第一距离和第二距离在所述绝缘层中延伸。 |