发明名称 一种单片微瓦斯传感器
摘要 一种单片微瓦斯传感器,传感器的加热元件和测温元件通过固定端固定在硅框架支座上,在加热元件上设有催化剂载体,加热元件和测温元件是相互独立的,加热元件、测温元件不存在电气连接;采用加热元件单独加热催化剂载体,测温元件单独检测因瓦斯催化燃烧形成的温升;采用MEMS技术加工的用于煤矿井下检测瓦斯浓度的一种瓦斯传感器,其制备工艺与CMOS工艺兼容。优点:该传感器配置简单,操作容易,功耗低、灵敏度高。加热元件整体嵌入催化剂载体中,提高电致发热效率,高效利用加热器的热量,还可独立调控加热元件、检测测温元件。
申请公布号 CN203519540U 申请公布日期 2014.04.02
申请号 CN201320599081.2 申请日期 2013.09.26
申请人 中国矿业大学 发明人 马洪宇;王文娟;丁恩杰;赵小虎;程婷婷
分类号 G01N27/16(2006.01)I 主分类号 G01N27/16(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种单片微瓦斯传感器,其特征在于:该单片微瓦斯传感器包括催化剂载体(105)、加热元件(103)、测温元件(104)、固定端(102)与硅框架支座(101);所述硅框架支座(101)包括硅衬底(11)与设在硅衬底(11)上的埋层氧化硅(12);所述固定端(102)包括支撑硅层(21)、设在支撑硅层(21)外的氧化硅层(23),设在氧化硅层(23)上的用作电引出焊盘Pad的金属层(22);所述固定端(102)的支撑硅层(21)内设有掺杂硅层(24);所述电引出焊盘Pad的金属层(22)通过氧化硅层(23)的窗口与固定端(102)的掺杂硅层(24)相接触构成欧姆接触;所述固定端(102)设在硅框架支座(101)上的埋层氧化硅(12)上;所述加热元件(103)、测温元件(104)均包括支撑硅层(21)、设在支撑硅层(21)外的氧化硅层(23);加热元件(103)设有硅加热器(1031)、两个对称设置的硅悬臂(1032);所述硅加热器(1031)较佳为圆环形,圆环形硅加热器(1031)中间较佳设有两个对称内伸的散热‑支撑硅块(1033);所述硅悬臂(1032)的一端与硅加热器(1031)相连,另一端与硅框架支座(101)上的固定端(102)相连;所述加热元件(103)的硅加热器(1031)上设有催化剂载体(105),加热元件(103)的硅加热器(1031)完全嵌入在催化剂载体(105)中,并且催化剂载体(105)贯穿于硅加热器(1031)中,尤其是催化剂载体(105)是一个整体结构;所述测温元件(104)设有硅测温环(1041)、两个对称设置的硅连接臂(1042),两个对称设置的硅支撑臂(1043);所述硅测温环(1041)、硅连接臂(1042)、硅支撑臂(1043)、固定端(102)依次相连;加热元件(103)、测温元件(104)分别与其各自的固定端(102)构成独立的二端器件通路,并通过固定端(102)固定在硅框架支座(101)上的埋层氧化硅(12)上; 所述测温元件(104)的硅测温环(1041)与加热元件(103)的硅加热器(1031)的边缘距离为3um至100um;与测温元件(104)相连的固定端(102)以及与加热元件(103)相连的固定端(102)较佳设置在硅框架支座(101)的相同一侧的位置;加热元件(103)独立加热催化剂载体(105),测温元件(104)独立检测因瓦斯催化燃烧造成的温升,测温元件(104)测量时不受加热元件(103)所施加的电压或电流的影响。
地址 221008 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学科研院
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