| 发明名称 | 基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，其特征在于，在p型<100>晶向的单面抛光的单晶硅基片设置有铂叉指电极，铂叉指电极与硅基片的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜，该气敏性薄膜厚度为300nm。本实用新型可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的气敏特性。 | ||
| 申请公布号 | CN203519539U | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201320651445.7 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 |
| 分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 张宏祥 |
| 主权项 | 一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，包括单面抛光的硅基片（1）与叉指电极（2），其特征在于，所述硅基片（1）的抛光表面上设置有叉指电极（2），叉指电极（2）与硅基片（1）的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜（3）。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||