| 发明名称 | 半导体封装件 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103700633A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310452241.5 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜明成;高廷旼;朴商植;金沅槿;洪志硕 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;刘奕晴 |
| 主权项 | 一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上；以及第一底填充层，位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层，位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层，位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间，其中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||