半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件，提供了改进的电荷耗尽性质的超结凹槽。半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；覆盖于所述半导体基板上的第一导电类型的第一半导电层；以及包括一个或更多个第一超结凹槽的边缘终端结构，第一超结凹槽的每个包括：第二导电类型的第一半导电区；与第一半导电区相邻的第二半导电区，第二半导电区具有与第二导电类型不同的第三导电类型；与第二区相邻的第一缓冲区；与第一缓冲区相邻的第三半导电区，第三半导电区具有第三导电类型；与第三区相邻的第四半导电区，第四区具有第二导电类型；以及将第二区电耦接至第三区的第一导电区。实施性取得了本实用新型相应的有利技术效果。

主权项

一种半导体器件，其特征在于包括：第一导电类型的半导体基板；覆盖于所述半导体基板上的所述第一导电类型的第一半导电层；以及包括一个或更多个第一超结凹槽的边缘终端结构，其中所述第一超结凹槽的每个包括：具有第二导电类型的第一半导电区；与所述第一半导电区相邻的第二半导电区，其中所述第二半导电区具有与所述第二导电类型不同的第三导电类型；与所述第二区相邻的第一缓冲区；与所述第一缓冲区相邻的第三半导电区，其中所述第三半导电区具有所述第三导电类型；与所述第三区相邻的第四半导电区，其中所述第四区具有所述第二导电类型；以及将所述第二区电耦接至所述第三区的第一导电区。