| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一管芯，在所述第一管芯上的第二管芯，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一个的电极包括金属化堆叠，所述金属化堆叠包括至少一个阻挡层，并且所述第一管芯和所述第二管芯经由界面材料粘结并电连接在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN203521404U | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201320118334.X | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | K.霍赛尼;A.毛德 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一管芯，在所述第一管芯上的第二管芯，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一个的电极包括金属化堆叠，所述金属化堆叠包括至少一个阻挡层，并且所述第一管芯和所述第二管芯经由界面材料粘结并电连接在一起。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||