| 发明名称 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示装置制造技术领域，本发明的阵列基板的制备方法，包括：在基底上通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源区的图形；在完成上述步骤的基底上形成栅极绝缘层；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管栅极的图形；在完成上述步骤的基底上形成隔离层；在完成上述步骤的基底上，形成用于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源漏极与其各自有源区电连接的第二接触过孔，以及用于第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶管的源极电连接的第一接触过孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103700629A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310745581.7 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李延钊;王刚;陈海晶;沈武林;方金钢 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基底上通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源区的图形；在完成上述步骤的基底上形成栅极绝缘层；在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管栅极的图形；在完成上述步骤的基底上形成隔离层；在完成上述步骤的基底上，形成用于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源漏极与其各自有源区电连接的第二接触过孔，以及用于第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶管的源极电连接的第一接触过孔。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||