用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池

摘要

一种用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材，其特征在于所述的靶材的结构为CuB1-xCxSeyS2-y，其中，B和C分别选自于IIIA族元素，x介于0～1，y介于0～2，此外，本发明还披露一种利用所述的靶材制作薄膜太阳能电池的方法，及由此方法制得的薄膜太阳能电池，特别的是，利用所述的靶材制作出的薄膜太阳能电池的薄膜化合物具有实质呈柱状的晶粒结构，并且，藉由调整制作方法中溅镀时的工作压力，可得到具有不同能隙的薄膜化合物。

主权项

一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的制作方法包含（a）清洁一块基材；（b）以一种第一导电材料在所述的基材上沉积形成一个背电极；（c）选用一个靶材，在150℃～600℃的工作温度，溅镀形成一层盖覆所述的背电极的化合物薄膜；以及（d）以一种第二导电材料在所述的化合物薄膜上沉积形成一个顶电极，制得所述的薄膜太阳能电池；其中，所述的步骤（c）是利用变化不同的工作压力，而在所述的背电极上形成多层分别具有不同组成份及能隙的次薄膜，所述次薄膜共同构成所述的化合物薄膜；所述的步骤（c）选用的靶材的结构式是CuB1‑xCxSeyS2‑y，其中，B和C分别选自IIIA族元素，x介于0～1，y介于0～2。