| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eng toleriert dotierter Siliciumstaebe |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1245331(B) |
申请公布日期 |
1967.07.27 |
| 申请号 |
DE1960W029981 |
申请日期 |
1960.04.19 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
JUN. WILLIAM HARDING;WINTER WILLIAM |
| 分类号 |
C23C16/22;C30B13/10;C30B15/00;H01L21/00 |
主分类号 |
C23C16/22 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
