堆叠式动态随机存取记忆体电容之单边离子植入制程,申请号TW098134773-传众专利搜索

发明名称	堆叠式动态随机存取记忆体电容之单边离子植入制程
摘要
申请公布号	TWI433274	申请公布日期	2014.04.01
申请号	TW098134773	申请日期	2009.10.14
申请人	华亚科技股份有限公司桃园县龟山乡复兴三路667号	发明人	王晓靁;黄信斌;萧清南;黄仲麟
分类号	H01L21/8242;H01L21/265	主分类号	H01L21/8242
代理机构		代理人	庄志强台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项
地址	桃园县龟山乡复兴三路667号