摘要 |
Ein dielektrisches Substrat (100) wird an einer ersten Vakuumbeschichtungsstation (102) beschichtet mit einer Schicht, deren Material einen spezifischen Widerstandρhat, für den gilt 10–5Ωcm≤ρ≤10–1Ωcm, und zwar so, dass der resultierende Flächenwiderstand R s in folgendem Bereich liegt: 0 < R s≤10–4Ω. Danach wird das beschichtete dielektrische Substrat (104) einem reaktiven Hochfrequenzplasma-Behandlungsschritt in einer Station (105) unterzogen. |