发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und passives elektronisches Bauelement |
摘要 |
<p>In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements bereitgestellt. Dabei wird eine erste elektrisch leitfähige Schicht (12) auf einem Substrat (10) ausgebildet. Eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (14) wird auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (12) ausgebildet. In der ersten und zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (12, 14) wird ein erster Graben (24) so ausgebildet, dass das Substrat (10) in dem ersten Graben (24) frei gelegt ist, wobei der erste Graben (24) einen ersten Kontaktbereich (16) von einem zweiten Kontaktbereich (18) abgrenzt. Ein Dielektrikum (28) wird derart strukturiert auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (14) in dem ersten Kontaktbereich (16) und zumindest teilweise auf das Substrat (10) in dem ersten Graben (24) aufgebracht, dass das Dielektrikum (28) den ersten Kontaktbereich (16) gegenüber dem zweiten Kontaktbereich (18) elektrisch isoliert. Eine elektrisch leitfähige Elektrodenschicht (38) wird über dem ersten Kontaktbereich (16) auf das Dielektrikum (28) und auf den zweiten Kontaktbereich (18) strukturiert aufgebracht.</p> |
申请公布号 |
DE102012109142(A1) |
申请公布日期 |
2014.03.27 |
申请号 |
DE201210109142 |
申请日期 |
2012.09.27 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
INGLE, ANDREW |
分类号 |
H01L21/82;H01L27/06;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/24;H01L27/32 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|