抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法

摘要

本发明公开了一种抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中进行硼离子注入；在栅极多晶硅的表面形成金属硅化钨；在金属硅化钨中进行硼离子注入。本发明方法通过在金属硅化钨生长之后，采用硼离子注入向金属硅化钨进行硼掺杂，使金属硅化钨的硼掺杂浓度接近或达到硼原子在金属硅化钨中的固溶度，由于金属硅化钨中硼掺杂浓度已经达到或接近最大值，故能够防止在后续热过程中栅极多晶硅中的硼向栅极多晶硅和金属硅化钨的接触表面扩散，降低了硼原子在金属硅化钨中聚集的风险，从而有效抑制PMOS器件的阈值电压漂移。

主权项

一种抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成栅极多晶硅后，进行第一次硼离子注入，该第一次硼离子注入将硼离子注入到所述栅极多晶硅中并使所述栅极多晶硅呈P型掺杂结构；步骤二、在第一次硼离子注入后的所述栅极多晶硅的表面形成金属硅化钨；步骤三、进行第二次硼离子注入，该第二次硼离子注入将硼离子注入到所述金属硅化钨中并使所述金属硅化钨中的硼的掺杂浓度达到或接近硼在所述金属硅化钨的固溶度；由第二次硼离子注入后的所述金属硅化钨和所述栅极多晶硅组成所述PMOS器件的栅极。