一种基于SiC衬底光导开关制作方法

摘要

本发明一种基于SiC衬底光导开关制作方法，涉及宽禁带半导体材料光电子器件技术领域。本发明以抛光后厚度为400μm的SiC为衬底，其包括SiC衬底准备，热氧化生成SiO2绝缘保护层，光刻刻蚀窗口，在高真空低温Ar气氛中，碳面沉积Ti电极，硅面沉积Ni电极，经Ar气氛中高温快速热处理后，小型离子溅射仪沉积Au保护薄膜，黏连铜电极后经透明Si3N4封装形成Au/Ti/SiC/Ni/Au异面正对极结构的光导开关。本发明因不采用CVD等设备外延高掺杂浓度的n型或p型SiC外延层，从而减少了半导体工艺流程，提高成品率，降低生产成本。为今后大功率、高频、耐高温器件的苛刻要求的产品制作提供了技术保证。

主权项

一种基于SiC衬底光导开关的制作方法，以抛光后厚度为400μm的SiC为衬底，SiO2绝缘保护层，刻蚀窗口，溅射纯度为99.99%Ti电极薄膜和Ni电极薄膜，Au保护电极薄膜，形成一个Au/Ti/SiC/Ni/Au异面正对极结构的光导开关，其特征是，包括SiC衬底准备，热氧化法生成SiO2绝缘保护层，经超高真空磁控溅射将Ti电极薄膜沉积在C面上和Ni电极薄膜沉积在Si面上，并形成开关结构，经快速热处理，再沉积Au保护层电极薄膜，经导电银浆粘结铜电极，最后采用透明Si3N4绝缘胶封装后形成。