| 发明名称 | 一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔离方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔离方法。等离子体刻蚀方法基于的等离子体设备包括反应腔室、下电极和射频电源，在所述反应腔室的顶部设有介质窗，所述射频电源从所述介质窗向所述反应腔室内施加射频能量，用于承载加工件的所述下电极设置在所述反应腔室内的底部并与所述介质窗相对，向所述下电极施加功率，并使所述下电极的电位低于所述介质窗的电位。该等离子体刻蚀方法可以减少晶片表面缺陷的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN103681192A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210345242.5 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 邢涛 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种等离子体刻蚀方法，其基于的等离子体设备包括反应腔室、下电极和射频电源，在所述反应腔室的顶部设有介质窗，所述射频电源从所述介质窗向所述反应腔室内施加射频能量，用于承载加工件的所述下电极设置在所述反应腔室内的底部并与所述介质窗相对，其特征在于，向所述下电极施加功率，并使所述下电极的电位低于所述介质窗的电位。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||