| 发明名称 |
一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管在N型基区表面设置有P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，在N型基区下表面设置了多晶P型半导体材料作为器件的背P+发射区；本发明的绝缘栅双极晶体管降低了器件的导通电阻，提高了器件的高频应用能力。本发明还提供了一种绝缘栅双极晶体管的制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN103681810A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
| 申请号 |
CN201210320208.2 |
申请日期 |
2012.09.01 |
| 申请人 |
朱江 |
发明人 |
朱江 |
| 分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N‑基区叠加组成，为N型半导体材料；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背P+发射区，为多晶P型半导体材料，位于N型基区的下方。 |
| 地址 |
310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 |
