利用磁控溅射技术制备石墨烯量子点

摘要

本发明涉及一种制备石墨烯量子点的方法。这种方法的主要特征在于：射频磁控溅射技术制备石墨烯混合薄膜、经过稀盐酸溶解、透析膜过滤提纯，得到具有较高量子产率的石墨烯量子点。这种方法操作非常简单，对环境友好，得到的量子点量子产率很高，石墨烯量子点粒径尺寸可以通过改变靶材混合比例和溅射功率来调节，具有大规模制备潜力和广阔应用前景。

主权项

一种利用射频磁控溅射方法制备石墨烯量子点的方法，包括下列步骤：(1)石墨‑氧化物陶瓷靶材的合成：将质量为mc=0.24g的石墨粉末和质量为mo=79.76g的ZnO粉末混合球磨(石墨2mol％)，待球磨完毕，向混合粉末中加入3ml聚乙烯醇(PVA)作为粘稠剂充分搅拌均匀；在40MPa的压力下保压4分钟将靶材压制成型；靶材烧结温度参数：每分钟升温1.5℃，升温至1100℃后保温4小时。(2)石墨烯量子点的制备：将(1)中所得陶瓷靶材放入磁控溅射腔室，利用高纯氩气作为溅射气体轰击靶材，陶瓷靶材与玻璃衬底间的距离为60mm，本底气压为1×10‑4mTorr，工作压强为0.5mTorr，溅射功率为40W，生长时间为15分钟。利用透射电子显微镜(TEM)观察制备的石墨烯量子点的结构特性，利用荧光光度计测定荧光光谱。