发明名称 一种NMOS阈值电压测量方法
摘要 本申请公开了一种NMOS阈值电压测量方法,该方法应用于线上测量,由包括待测NMOS在内的六个NMOS相互连接组成镜像电路,通过控制相关NMOS的沟道长度和沟道宽度的比值,实现电路中某点的输出电压与待测NMOS阈值电压相等,从而将NMOS的阈值电压提取,实现待测NMOS阈值电压的线上测量。
申请公布号 CN103675398A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201210339342.7 申请日期 2012.09.13
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 甘正浩
分类号 G01R19/00(2006.01)I 主分类号 G01R19/00(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 牛峥;王丽琴
主权项 一种NMOS阈值电压测试方法,应用于线上测量,该方法包括:提供待测的第一NMOS,第二NMOS,第三NMOS,第四NMOS,第五NMOS和第六NMOS,所述待测的第一NMOS的沟道长度与沟道宽度的比值的平方根与所述第三NMOS的沟道长度与沟道宽度的比值的平方根之和等于所述第四NMOS的沟道长度与沟道宽度的比值的平方根,所述第五NMOS和所述第六NMOS相同;将所述待测的第一NMOS的栅极和所述第二NMOS的栅极同时与所述第三NMOS的源极和衬底电连接,所述待测的第一NMOS和所述第二NMOS的源极和衬底同时接地,所述第二NMOS的漏极与所述第四NMOS的源极和衬底电连接,所述第五NMOS的源极和衬底与所述第三NMOS的栅极和漏极电连接,所述第六NMOS的源极和衬底与所述第四NMOS的栅极和漏极电连接,所述第五NMOS的栅极与所述第六NMOS的栅极电连接,第五NMOS的漏极和第六NMOS的漏极上施加工作电压;测量所述第二NMOS的漏极与所述第四NMOS的源极和衬底之间的电压输出值,得到所述待测的第一NMOS的阈值电压。
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