| 发明名称 | IGBT器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整栅结构的电压高于集电区电压，则在所述调整栅区域上方会形成一层电子富集的区域，使所述IGBT器件在一定的击穿电压下，载流子在衬底内的漂移区厚度更薄，器件的关断拖尾电流较小，降低了器件在开关状态下的关断损耗；在器件的导通状态下，调整栅结构的电压低于集电区电压，则在所述调整栅结构区域上方会形成一层空穴富集的区域，增加了集电区宽度和载流子浓度，降低了器件在导通状态下的导通损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103681817A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210333617.6 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 谈景飞;朱阳军;王波;张文亮;褚为利 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种IGBT器件，其特征在于，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构；位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||