| 发明名称 | 高可靠性的低温栅氧化层生长工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高可靠性的低温栅氧化层生长工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供表面洁净的圆片，在750～800℃温度下进入氧化炉管；（2）圆片在800±5℃稳定10～20分钟，氧化炉管中的气氛为氮气和氧气；（3）先在800±5℃温度下进行干氧氧化，过程分为三步：分别为氧气、氧气+DCE或HCl、氧气，每个过程时间为3～5分钟；（4）再在800±5℃温度下采用氢氧合成方式生长氧化层，氧气和氢气的比例为1:1～1.8，氧气的流量为4～6L/min；（5）然后在800±5℃温度下干氧生长5～10分钟氧化层，氧气的流量为8～15L/min；（6）最后在800±5℃温度下，于纯氮中退火20～30分钟，氮气的流量为8～15L/min。本发明工艺步骤简单方便，可靠性好。 | ||
| 申请公布号 | CN103681288A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310696490.9 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 发明人 | 吴晓鸫;张世权;陶军;张明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人 | 曹祖良;刘海 |
| 主权项 | 一种高可靠性的低温栅氧化层生长工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供表面洁净的圆片，在750～800℃温度下进入氧化炉管；（2）圆片在800±5℃稳定10～20分钟，氧化炉管中的气氛为氮气和氧气，氮气和氧气的比例为16～8:1，氮气的流量为8～15L/min； （3）先在800±5℃温度下进行干氧氧化，过程分为三步：分别为氧气、氧气+DCE或HCl、氧气，每个过程时间为3～5分钟，氧气流量为8～15L/min，DCE或HCl流量为100～300sccm； （4）再在800±5℃温度下采用氢氧合成方式生长氧化层，氧气和氢气的比例为1:1～1.8，氧气的流量为4～6 L/min；（5）然后在800±5℃温度下干氧生长5～10分钟氧化层，氧气的流量为8～15 L/min；（6）最后在800±5℃温度下，于纯氮中退火20～30分钟，氮气的流量为8～15 L/min。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 | ||