一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片

摘要

本发明涉及一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述窗口层的侧壁法向倾斜角度范围：36～75°，所述窗口层的厚度范围：1～10μm。所述锥状粗化结构包括多个紧密排列的单元锥体，所述单元锥体的底面直径范围：300nm～4μm，所述单元锥体的高度范围：200nm～4μm。本发明湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片极大的提升了AlGaInP四元LED的光提取效率，相对于传统结构芯片其光提取效率可提升60%以上。

主权项

一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，该LED芯片包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。