发明名称 |
一种多沟槽结构的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法,包括步骤:在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽;在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层,使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部,形成封闭结构;在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀,以形成沟槽阵列,并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通;所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔,所述多个沟槽或通孔的上部各自分离,下部相互连通形成腔体;生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列,以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层,使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固,避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。 |
申请公布号 |
CN103681233A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210325243.3 |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
张新伟;代丹;周国平;夏长奉 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
种多沟槽结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在半导体衬底上各向异性刻蚀,以形成纵向沟槽;步骤二、在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层,使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部,形成封闭结构;步骤三、在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀,以形成沟槽阵列,并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通;所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔,所述多个沟槽或通孔的上部各自分离,下部相互连通形成腔体;步骤四、生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列,以形成封闭的多沟槽结构。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |