| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。 | ||
| 申请公布号 | CN103681673A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310425396.X | 申请日期 | 2013.09.12 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 砂村润;金子贵昭;古武直也;齐藤忍;林喜宏 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：p型金属氧化物半导体层；与所述p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与所述p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与所述p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极，其中在俯视图中所述栅极电极和所述漏极电极相互分离。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||