| 发明名称 | 一种制造交叉点器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造交叉点器件的方法，包括：提供半导体衬底；依次沉积第一金属层、存储器单元层以及第一硬掩膜层；利用相互平行且沿第一方向延伸的第一图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第一硬掩膜层、存储器单元层以及第一金属层；去除第一图案化聚合物；沉积第一电介质层并平坦化以露出存储器单元层；依次沉积第二金属层以及第二硬掩膜层；利用相互平行且沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第二硬掩膜层、第二金属层以及存储器单元层；去除第二图案化聚合物；以及沉积第二电介质层并平坦化以露出第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN103682088A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210331129.1 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;杨达;罗军 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;李家麟 |
| 主权项 | 一种制造交叉点器件的方法，包括步骤：提供半导体衬底；依次沉积第一金属层、存储器单元层以及第一硬掩膜层；利用相互平行且沿第一方向延伸的第一图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第一硬掩膜层、存储器单元层以及第一金属层；去除第一图案化聚合物；沉积第一电介质层并平坦化以露出存储器单元层；依次沉积第二金属层以及第二硬掩膜层；利用相互平行且沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二图案化聚合物作为掩膜，图案化所述第二硬掩膜层、第二金属层以及存储器单元层；去除第二图案化聚合物；以及沉积第二电介质层并平坦化以露出第二金属层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||