半导体结构及其制作方法

摘要

本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同；以及在第二半导体层中，在与第一电介质材料层中之前限定的开口以及相邻开口之间中部位置处，形成第二电介质材料栓塞。根据本发明，可以提供一种半导体结构，而不存在或者仅存在很少的外延缺陷。

主权项

一种制作半导体结构的方法，包括：提供第一半导体层；在所述第一半导体层的表面上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口，以露出所述第一半导体层的表面的一部分；在所述第一半导体层的露出表面上，经由所述第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，使得从相邻的开口生长的第二半导体层在第一电介质材料层的顶面上彼此汇聚，其中所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同；以及在所述第二半导体层中，在所述第一电介质材料层中之前限定的开口以及相邻的开口之间中部位置处，形成第二电介质材料栓塞，其中第二电介质材料栓塞贯穿所述第二半导体层，到达所述第一半导体层的表面或者所述第一电介质材料层的顶面。