一种改进型LED芯片

摘要

本实用新型涉及以半导体为特征的基本电气元件技术领域，具体是一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。本实用新型的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，其均匀性好，能有效地降低外延位错提高外延层的结晶质量，使LED芯片的发光效率得到最大化的提升。本实用新型通过该图形化蓝宝石衬底降低了外延层的位错缺陷，提高了外延层的结晶质量，而本实用新型中的多个微型反射面也同样大幅提高了LED芯片的发光效率。

主权项

一种改进型LED芯片，包括蓝宝石衬底，其特征在于所述的蓝宝石衬底上设有若干凸块，衬底上部为N型氮化镓层，N型氮化镓层上部设有负电极，所述的N型氮化镓层上部还设有多层量子阱，多层量子阱上部设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上部还设有透明导电层，透明导电层上设有正电极。