| 发明名称 | 多位准记忆胞的程序化方法及记忆装置 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种多位准记忆胞的程序化方法及记忆装置，其中每个记忆胞有两个储存区。此程序化方法使第一储存区具有第一启始电压位准，第二储存区具有第二启始电压位准。其中，第一启始电压位准选自M个启始电压位准。当第一启始电压位准为此M个启始电压位准中的第i位准时，第二启始电压位准选自ni个启始电压位准，其中至少有一ni不等于ni-1(2≤i≤M)。上述多位准记忆胞有P个储存态，其中。此记忆装置包括多个多位准记忆胞及可进行上述程序化方法的操作电路。 | ||
| 申请公布号 | CN102103886B | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN200910261309.5 | 申请日期 | 2009.12.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赵元鹏;张耀文 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种多位准记忆胞的程序化方法，该多位准记忆胞具有第一储存区与第二储存区，其特征在于该程序化方法包括：使该第一储存区具有第一启始电压位准，该第二储存区具有第二启始电压位准，其中，该第一启始电压位准选自M个启始电压位准；当该第一启始电压位准为该M个启始电压位准中的第i位准时，该第二启始电压位准选自n<sub>i</sub>个启始电压位准，其中至少有一n<sub>i</sub>不等于n<sub>i-1</sub>，2≤i≤M；并且该多位准记忆胞有P个储存态，其中<img file="FSB0000118028590000011.GIF" wi="191" he="126" />P＝2<sup>q</sup>，且该多位准记忆胞为一q位元记忆胞。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||