发明名称 |
替比培南匹伏酯结晶及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及制备下式(I)所示的替比培南匹伏酯结晶物及其制备方法。本发明提供了一种制备高纯度的式(I)所示的替比培南匹伏酯结晶物及其制备方法,该方法包括将(+)-(4R,5S,6S)-6-[(1R)-1-羟乙基]-4-甲基-7-氧代-3-[[1-(2-噻唑啉-2-基)-3-氮杂环丁基]硫代]-1-氮杂双环[3.2.0]庚-2-烯-2-羧酸-2-特戊酸甲酯(替比培南匹伏酯)在乙醇、乙腈、乙酸乙酯、丙酮、正己烷的单一或混合溶剂中在指定温度下进行溶解、重结晶和干燥,从而制备出高纯度的替比培南匹伏酯的结晶物,该晶型稳定、各项指标符合要求、便于生产和储存。 |
申请公布号 |
CN103664949A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210335035.1 |
申请日期 |
2012.09.12 |
申请人 |
高瑞耀业(北京)科技有限公司;高拓耀业(北京)科技有限公司 |
发明人 |
张晟源 |
分类号 |
C07D477/20(2006.01)I;C07D477/02(2006.01)I |
主分类号 |
C07D477/20(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种(+)‑(4R,5S,6S)‑6‑[(1R)‑1‑羟乙基]‑4‑甲基‑7‑氧代‑3‑[[1‑(2‑噻唑啉‑2‑基)‑3‑氮杂环丁基]硫代]‑1‑氮杂双环[3.2.0]庚‑2‑烯‑2‑羧酸‑2‑特戊酸甲酯(替比培南匹伏酯)结晶及其制备方法,其特征在于使用Cu‑Ka辐射,以2θ表示的X‑射线衍射粉末衍射光谱在8.35±0.2,11.75±0.2,15.20±0.2,16.73±0.2,17.06±0.2,18.08±0.2,19.33±0.2,21.20±0.2,22.53±0.2,23.65±0.2,24.09±0.2,25.84±0.2,28.62±0.2有特征峰,红外吸收光谱在1778±5cm‑1、1753±5cm‑1、1609±5cm‑1有特征吸收峰,其DSC吸热转变在137±1℃。 |
地址 |
100039 北京市海淀区西郊半壁店59号12号楼1338室 |