膜形成设备和膜形成设备用的校准方法

摘要

本发明提供几乎不受由恢复处理引起的遮蔽板的大小和形状的改变影响的膜形成设备和膜形成设备用的校准方法。该膜形成设备包括包围真空室中在相互面对的处理对象基板和靶材之间的溅射空间的遮蔽板，并通过使至少一种活性气体和膜形成材料相互反应来在处理对象基板上形成膜。膜形成设备被配置为基于压力检测部件所检测到的溅射空间的压力值，控制要导入溅射空间中的气体的流量相对于要导入在真空室的内壁和遮蔽板之间的空间中的气体的流量的比。

主权项

一种膜形成设备，用于通过在真空室中使至少一种活性气体与膜形成材料相互反应来在处理对象基板上形成膜，所述膜形成设备包括：遮蔽板，用于包围所述真空室中在相互面对的所述处理对象基板和靶材之间的溅射空间，其中，所述靶材包含所述膜形成材料；气体供给部件，用于在形成所述膜时将至少包含所述活性气体的气体供给至所述真空室，并包括用于将气体导入由所述遮蔽板包围的所述溅射空间中的第一气体导入部件以及用于将气体导入在所述真空室的内壁和所述遮蔽板之间的溅射外部空间中的第二气体导入部件，其中，所述第二气体导入部件从所述第一气体导入部件分支；以及气体流量比控制部件，用于调节要由所述第一气体导入部件导入所述溅射空间中的气体的流量相对于要由所述第二气体导入部件导入所述溅射外部空间中的气体的流量的比。