一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有待构图薄膜的半导体衬底上形成核心材料层的图形；步骤S102：对核心材料层进行处理，以使核心材料层不同表面具有不同的物质沉积率；步骤S103：在所述半导体衬底上形成间隔层材料薄膜；步骤S104：蚀刻所述间隔层材料薄膜以形成间隔层的图形；步骤S105：去除所述核心材料层；步骤S106：对所述待构图薄膜进行图形化；步骤S107：去除所述间隔层。该方法对双重图形技术进行了改进，省略了传统双重图形技术中在间隔层形成后的切割刻蚀工艺，在精简工艺、降低成本的同时，保证了产品良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有待构图薄膜的半导体衬底上形成核心材料层的图形；步骤S102：对核心材料层进行处理，以使核心材料层不同表面具有不同的物质沉积率；步骤S103：在所述半导体衬底上形成间隔层材料薄膜；步骤S104：蚀刻所述间隔层材料薄膜以形成间隔层的图形；步骤S105：去除所述核心材料层；步骤S106：对所述待构图薄膜进行图形化；步骤S107：去除所述间隔层。