| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构和半导体衬底表面的氧化硅层；去除半导体衬底表面的氧化硅层；在去除半导体衬底表面的氧化硅层之后，形成覆盖所述半导体衬底、栅极结构和氧化硅层表面的氮化硅层；去除半导体衬底表面和栅极结构顶部的氮化硅层，形成第一氮化硅侧墙；在形成第一氮化硅侧墙之后，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力层。所形成的晶体管的性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103681344A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210364951.8 | 申请日期 | 2012.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构和半导体衬底表面的氧化硅层；去除半导体衬底表面的氧化硅层；在去除半导体衬底表面的氧化硅层之后，形成覆盖所述半导体衬底、栅极结构和氧化硅层表面的氮化硅层；去除半导体衬底表面和栅极结构顶部的氮化硅层，形成第一氮化硅侧墙；在形成第一氮化硅侧墙之后，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||