发明名称 |
用于环介导等温扩增的微流控芯片、其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种用于环介导等温扩增的微流控芯片、其制备方法和应用,该微流控芯片包括基底层和与所述基底层叠置的功能层,所述功能层设置至少一个微流控结构单元,每个微流控结构单元包括进样口、反应区和连接所述进样口与反应区的微流控管道。本发明的微流控芯片上集成多个微流控结构单元,每个微流控结构单元都能单独进行环介导等温扩增,因此使用该微流控芯片能够对环介导等温扩增进行通量化操作,同时进行多个环介导等温扩增反应,大大提高了效率。 |
申请公布号 |
CN103667011A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310503118.1 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
沈海滢;蒋兴宇;张伟 |
分类号 |
C12M1/00(2006.01)I;C12N15/10(2006.01)I |
主分类号 |
C12M1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
巩克栋 |
主权项 |
一种用于环介导等温扩增的微流控芯片,其特征在于,包括基底层和与所述基底层叠置的功能层,所述功能层设置至少一个微流控结构单元,每个微流控结构单元包括进样口、反应区和连接所述进样口与反应区的微流控管道;优选地,所述进样口的数量为2个,分别设置在反应区的两侧,与反应区和微流控管道在一条直线上。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |