| 发明名称 | 溅射用MgO靶材 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。 | ||
| 申请公布号 | CN103687977A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201280032640.X | 申请日期 | 2012.06.29 |
| 申请人 | 宇部材料工业株式会社;日本钨株式会社 | 发明人 | 佐野聪;西村芳宽;渡边高行;加藤裕三;植木明;味富晋三;高巢正信;原勇介;田中敬章 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/04(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种溅射用MgO靶材，该溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||