发明名称 列选择多路复用器、方法和采用其的计算机存储器子系统
摘要 本发明提供了列选择多路复用器、方法和采用其的计算机存储器子系统。列选择多路复用器、从随机存取存储器读取数据的方法和涉及该多路复用器或该方法的存储器子系统。在一个实施例中,列选择多路复用器包括:(1)第一场效应晶体管,具有经由反相器耦连到静态随机存取存储器阵列的位线的栅极,(2)第二场效应晶体管,与第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到静态随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极,以及(3)锁存器,具有耦连到第一和第二场效应晶体管的输入。
申请公布号 CN103680601A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310429672.X 申请日期 2013.09.18
申请人 辉达公司 发明人 安德烈亚斯·戈特巴;乔尔·德威特;马列克·斯莫兹纳
分类号 G11C11/413(2006.01)I;G06F13/16(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍;谢栒
主权项 一种列选择多路复用器,包括:第一场效应晶体管,具有经由反相器耦连到随机存取存储器阵列的位线的栅极;第二场效应晶体管,与所述第一场效应晶体管串行地耦连并具有耦连到所述随机存取存储器阵列的列选择总线的栅极;以及锁存器,具有耦连到所述第一和第二场效应晶体管的输入。
地址 美国加利福尼亚州