| 发明名称 | 一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4-乙撑二氧噻吩溶液，使3,4-乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有：3,4-乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需设备简单，工艺调控方便，原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103665409A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310561809.7 | 申请日期 | 2013.11.12 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李建雄;张美娟;刘安华 |
| 分类号 | C08J7/04(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08J7/14(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I | 主分类号 | C08J7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 一种导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法，其特征在于，在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4‑乙撑二氧噻吩单体溶液，使3,4‑乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||