| 发明名称 | 一种浅沟槽隔离结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。该制作方法，包括：a）提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；b）进行湿法刻蚀，以扩大所述沟槽的尺寸；c）在扩大的沟槽的底部和侧壁上形成掺杂的硅外延层；以及d）在所述扩大的沟槽内填满STI氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。本发明通过在沟槽内形成掺杂的硅外延层，可以抑制半导体衬底中的硼向STI氧化物中扩散，进而避免硼耗尽而导致的电阻增大、阈值电压和工作电流漂移等现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103681444A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210324178.2 | 申请日期 | 2012.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；b）进行湿法刻蚀，以扩大所述沟槽的尺寸；c）在扩大的沟槽的底部和侧壁上形成掺杂的硅外延层；以及d）在所述扩大的沟槽内填满STI氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||